Numer produktu producenta:
BSB053N03LP G
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSB053N03LP G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 17A/71A 2WDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 71A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Magazyn:
12841842
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSB053N03LP G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
17A (Ta), 71A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2700 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pakiet / Walizka
3-WDSON
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSB053N03LP G-DG
BSB053N03LPG
SP000597830
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NVMFS5C450NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN
RFP8P05
MOSFET P-CH 50V 8A TO220-3
SFF9250L
MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3PF
